近日，原子能院核安全研究所項目團隊針對強輻射場環(huán)境智能裝備應(yīng)用，成功研制出國內(nèi)首款MGy（兆戈瑞）級抗輻射三線譯碼器芯片，是宇航級芯片抗輻射總劑量1kGy的1000倍，達到了國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進水平，滿足了強輻射場環(huán)境工作的智能裝備對該功能芯片的抗輻射加固需求，同時也為其他功能芯片的抗輻射加固奠定了研究基礎(chǔ)，提高了核工業(yè)智能裝備和系統(tǒng)在強輻射環(huán)境下的可靠性和安全性。

 抗輻射三線譯碼器芯片可滿足地面核設(shè)施強輻射場景對自動控制、傳感器、智能裝備和信息化系統(tǒng)的耐輻射需求。研制期間，項目團隊選用180nm CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)工藝，通過晶體管級抗輻射加固研究，突破了MGy級抗總劑量輻射的數(shù)字芯片加固技術(shù)。針對顯示控制、內(nèi)存解碼、電氣自動化等應(yīng)用需求，完成了三線譯碼橋接芯片設(shè)計、版圖加固、流片、封裝和測試的全流程技術(shù)開發(fā)，總劑量輻照測試表明其抗總劑量輻射性能達到1.17MGy。芯片在耐輻照性能測試環(huán)節(jié)采用了更科學(xué)可靠的在線測試方法，不僅在測試中始終處于工作狀態(tài)，在經(jīng)受1.17 MGy的在線總劑量輻照后，仍可以正常工作。

抗輻射三線譯碼器芯片

該項目隸屬原子能院長期基礎(chǔ)研究專項。面對抗輻射加固需求，項目團隊未來將努力開發(fā)更多MGy級抗輻射總劑量的數(shù)字和模擬芯片，為“智慧核工業(yè)”的進一步實現(xiàn)貢獻力量。